ສະຫຼຸບຜະລິດຕະພັນ
ຊິລິໂຄນ Foamed ແຫຼວຂອງ HONG YE SILICONE ແມ່ນຄວາມຄົງທີ່ dielectric ຕ່ໍາແລະຄວາມສົມບູນຂອງສັນຍານສູງ 2-component ເພີ່ມເຕີມ curing silicone, ຄຸນນະສົມບັດ dielectric ຕ່ໍາທີ່ດີເລີດ (dielectric ຄົງທີ່ ≤3.0 @ 1MHz), attenuation ສັນຍານຕ່ໍາ, ຄວາມສົມບູນຂອງສັນຍານສູງ, ເຫມາະສົມສໍາລັບການສື່ສານ 5G ເອເລັກໂຕຣນິກແລະຄວາມຖີ່ສູງ. ມັນມີຮູຂຸມຂົນປິດແບບດຽວກັນ, ທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມ -65 ℃ - 200 ℃, 1: 1 ການດໍາເນີນງານງ່າຍດາຍ, ຜ່ານການຢັ້ງຢືນ SGS dielectric, ເຫມາະສົມກັບສານປະກອບ potting ເອເລັກໂຕຣນິກແລະ silicone mold ຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ, ໃຫ້ບໍລິການຜູ້ຊື້ B2B ໃນ 5G ແລະອຸດສາຫະກໍາເອເລັກໂຕຣນິກ.
ພາບລວມຂອງຜະລິດຕະພັນ
ຊິລິໂຄນ Foamed Liquid ຂອງ HONG YE SILICONE (ຢາງຊິລິໂຄນໂຟມ, ໂຟມຊິລິໂຄນ) ເປັນຜະລິດຕະພັນຫຼັກ dielectric ຕ່ໍາ, ພັດທະນາໂດຍສະເພາະສໍາລັບການສື່ສານ 5G, ສະຖານະການສົ່ງສັນຍານເອເລັກໂຕຣນິກແລະຄວາມຖີ່ສູງ. ໃນຖານະເປັນຊິລິໂຄນການປິ່ນປົວເພີ່ມເຕີມ 2 ອົງປະກອບ, ມັນໄດ້ຖືກສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນໂດຍ foaming ເຄມີຂອງ flowable Part A ແລະ Part B, ປະກອບກັບຕົວຕື່ມ dielectric ຕ່ໍາ (ເຊັ່ນ: ຝຸ່ນ BN), featuring ຄົງທີ່ dielectric ຕ່ໍາສຸດ, ການຫຼຸດຜ່ອນສັນຍານຕ່ໍາ, ຄວາມສົມບູນຂອງສັນຍານສູງ, ໂຄງປະກອບການຂອງຈຸລັງປິດອັນດີ, elasticity ດີແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງ dielectric. ມັນມີຄວາມຄົງທີ່ dielectric ຂອງ≤3.0 @ 1MHz, ປະສິດທິຜົນສາມາດຫຼຸດຜ່ອນການຫຼຸດຜ່ອນສັນຍານ, ຮັບປະກັນການສົ່ງສັນຍານທີ່ຫມັ້ນຄົງ, ແກ້ໄຂບັນຫາຂອງວັດສະດຸ foaming ແບບດັ້ງເດີມ' ຄົງທີ່ dielectric ສູງແລະການລົບກວນສັນຍານທີ່ຮ້າຍແຮງ. ເຂົ້າກັນໄດ້ກັບສ່ວນໃຫຍ່ຂອງຜະລິດຕະພັນເອເລັກໂຕຣນິກແລະຄວາມແມ່ນຍໍາຂອງພວກເຮົາ, ມັນແມ່ນເຫມາະສົມສໍາລັບສະຖານີຖານ 5G, ອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກຄວາມຖີ່ສູງແລະສະຖານະການສົ່ງສັນຍານ.
ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ
ປະເພດ: 2 ອົງປະກອບເພີ່ມເຕີມສໍາລັບການປິ່ນປົວຊິລິໂຄນ
ປະສິດທິພາບ Dielectric ຕ່ໍາ: Dielectric ຄົງທີ່ ≤3.0 @ 1MHz, ການຫຼຸດຜ່ອນສັນຍານຕ່ໍາ (≤5% ຢູ່ 5GHz), ຄວາມສົມບູນຂອງສັນຍານສູງ, ບໍ່ມີສັນຍານລົບກວນ.
ຄຸນສົມບັດໂຟມ: ຮູຂຸມຂົນຂອງຈຸລັງປິດຢ່າງດີ (30-70μm), dielectric ຕ່ໍາ, ບໍ່ມີສັນຍານປ້ອງກັນ, ໂຄງສ້າງ dielectric ຫມັ້ນຄົງ.
ຊ່ວງອຸນຫະພູມ: -65 ℃ to 200 ℃ (ໃຊ້ໃນໄລຍະຍາວ)
ອັດຕາສ່ວນການປະສົມ: 1:1 (ສ່ວນ A: ສ່ວນ B, ໂດຍນ້ໍາຫນັກ)
ວິທີການປິ່ນປົວ: ອຸນຫະພູມຫ້ອງຫຼືຄວາມຮ້ອນ (80 ℃, 1h) vulcanization
ການຢັ້ງຢືນ: SGS eco-toxicity, RoHS, SGS dielectric certification
ລັກສະນະທີ່ສໍາຄັນ: ຄົງທີ່ dielectric ຕ່ໍາ, ຄວາມສົມບູນຂອງສັນຍານສູງ, ຄົງທີ່ dielectric ≤3.0 @ 1MHz, ການຫຼຸດຜ່ອນສັນຍານຕ່ໍາ.
ການຫຸ້ມຫໍ່: ສ່ວນ A (20/25/200KG/ຖັງ), ສ່ວນ B (20/25/200KG/ຖັງ)
ຄຸນສົມບັດ & ຂໍ້ດີຂອງຜະລິດຕະພັນ
1. ປະສິດທິພາບ Dielectric ຕ່ໍາທີ່ດີເລີດ: Dielectric ຄົງທີ່ ≤3.0 @ 1MHz, ການຫຼຸດຜ່ອນສັນຍານຕ່ໍາ, ການແກ້ໄຂບັນຫາຂອງວັດສະດຸ foaming ແບບດັ້ງເດີມ 'ຄວາມຄົງທີ່ dielectric ສູງແລະຮ້າຍແຮງ interference ໃນສະຖານະການຄວາມຖີ່ສູງ.
2. ຄວາມສົມບູນຂອງສັນຍານສູງ: ປະສິດທິຜົນຮັບປະກັນການສົ່ງສັນຍານທີ່ຫມັ້ນຄົງ, ບໍ່ມີການບິດເບືອນສັນຍານ, ການປັບຕົວເຂົ້າກັບ 5G ແລະສະຖານະການເອເລັກໂຕຣນິກຄວາມຖີ່ສູງ.
3. ການດຸ່ນດ່ຽງ Dielectric & Elasticity ຕ່ໍາ: ໃນຂະນະທີ່ຮັກສາຄວາມຄົງທີ່ dielectric ຕ່ໍາສຸດແລະຄວາມສົມບູນຂອງສັນຍານສູງ, ມັນຮັກສາ elasticity ທີ່ດີແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງໂຄງສ້າງ, ບໍ່ມີກະດູກຫັກ brittle, ການດຸ່ນດ່ຽງການປົກປ້ອງສັນຍານແລະການນໍາໃຊ້.
4. ຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ກັບຜະລິດຕະພັນອີເລັກໂທຣນິກ: ເຂົ້າກັນໄດ້ກັບສານປະກອບເຄື່ອງປັ້ນດິນເຜົາເອເລັກໂຕຣນິກຂອງ HONG YE SILICONE ແລະຊິລິໂຄນ mold ຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ, ປະກອບເປັນການແກ້ໄຂເອເລັກໂຕຣນິກ 5G ແລະຄວາມຖີ່ສູງ, ເຮັດໃຫ້ການຈັດຊື້ແບບຢຸດດຽວ.
5. ການດໍາເນີນງານງ່າຍ: 1: 1 ອັດຕາສ່ວນການຜະສົມແບບງ່າຍດາຍ, flowability ດີ, ງ່າຍທີ່ຈະປຸງແຕ່ງເຂົ້າໄປໃນອົງປະກອບ dielectric ຕ່ໍາ, ບໍ່ມີທັກສະການເຮັດວຽກທີ່ມີຄວາມຖີ່ສູງມືອາຊີບທີ່ຕ້ອງການ, ປັບປຸງປະສິດທິພາບການຜະລິດ.
ວິທີການນໍາໃຊ້
1. ເອົາສ່ວນ A ແລະສ່ວນ B ຕາມອັດຕາສ່ວນນ້ໍາຫນັກ 1: 1, stir ແຍກຕ່າງຫາກເພື່ອກໍາຈັດການຕົກຕະກອນ, ໃຫ້ແນ່ໃຈວ່າບໍ່ມີສິ່ງເສດເຫຼືອ (ຫຼີກເວັ້ນການຜົນກະທົບຕໍ່ການປະຕິບັດຂອງ dielectric ແລະການສົ່ງສັນຍານ).
2. ປະສົມແລະ stir ຢ່າງລະອຽດສໍາລັບ 3 ນາທີຈົນກ່ວາ homogeneous, degas ສູນຍາກາດທີ່ຈະເອົາຟອງອາກາດ (ຮັບປະກັນຄວາມສອດຄ່ອງຂອງ dielectric ແລະໂຄງສ້າງຂອງຈຸລັງປິດ).
3. ງາມປະສົມເຂົ້າໄປໃນ mold ອົງປະກອບ dielectric ຕ່ໍາ (ຄູ່ກັບສານປະກອບ potting ເອເລັກໂຕຣນິກ), ໂຟມແລະການປິ່ນປົວຢູ່ໃນອຸນຫະພູມຫ້ອງຫຼືໂດຍການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນ.
4. ຫຼັງຈາກການປິ່ນປົວຢ່າງເຕັມທີ່, ຜະລິດຕະພັນມີຄວາມຄົງທີ່ dielectric ຕ່ໍາແລະການຫຼຸດຜ່ອນສັນຍານຕ່ໍາ, ກຽມພ້ອມສໍາລັບການນໍາໃຊ້ໃນ 5G ແລະສະຖານະການເອເລັກໂຕຣນິກຄວາມຖີ່ສູງ.
ສະຖານະການຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
ສຸມໃສ່ສະຖານະການເອເລັກໂຕຣນິກຄວາມຖີ່ສູງ: ອົງປະກອບເສົາອາກາດສະຖານີຖານ 5G (ຈັບຄູ່ກັບຊິລິໂຄນ mold ຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ), enclosures ເອເລັກໂຕຣນິກຄວາມຖີ່ສູງ (ຄູ່ກັບອຸປະກອນ potting ເອເລັກໂຕຣນິກ), buffers ສົ່ງສັນຍານ (ຄູ່ກັບສານປະກອບ potting ເອເລັກໂຕຣນິກ), ພາກສ່ວນຫຸ່ນຍົນ dielectric ຕ່ໍາ (ຄູ່ກັບຊິລິໂຄນຫຸ່ນຍົນ), ແລະ 5G terminal molded ອຸປະກອນສູງ (ຊິລິໂຄນ) ອຸປະກອນ. ມັນຊ່ວຍໃຫ້ຜູ້ຊື້ 5G ແລະເອເລັກໂຕຣນິກຮັບປະກັນການສົ່ງສັນຍານທີ່ຫມັ້ນຄົງແລະປັບປຸງປະສິດທິພາບຂອງຜະລິດຕະພັນ.
ການຢັ້ງຢືນແລະການປະຕິບັດຕາມ
ຜ່ານການຮັບຮອງ SGS ຄວາມເປັນພິດທາງນິເວດ, ສອດຄ່ອງກັບ RoHS, ການຢັ້ງຢືນ SGS dielectric, ປະສິດທິພາບ dielectric ຕ່ໍາແລະສັນຍານສູງທີ່ດີເລີດ, ຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຈັດຊື້ເອເລັກໂຕຣນິກຄວາມຖີ່ສູງຂອງຜູ້ຊື້ B2B ໃນ 5G, ອຸດສາຫະກໍາເອເລັກໂຕຣນິກແລະການສື່ສານ, ອໍານວຍຄວາມສະດວກການສົ່ງອອກໄປຕະຫຼາດໂລກ.
ຕົວເລືອກການປັບແຕ່ງ
ຄົງທີ່ dielectric ທີ່ສາມາດປັບແຕ່ງໄດ້ (≤2.5 @ 1MHz ສໍາລັບສະຖານະການທີ່ມີຄວາມຕ້ອງການສູງ), ອັດຕາການຫຼຸດຜ່ອນສັນຍານ, ອັດຕາສ່ວນ foaming ແລະຄວາມແຂງ, ປັບຕົວກັບ 5G ທີ່ແຕກຕ່າງກັນແລະຄວາມຕ້ອງການເອເລັກໂຕຣນິກຄວາມຖີ່ສູງ, ຊ່ວຍໃຫ້ຜູ້ຊື້ເພີ່ມປະສິດທິພາບການສົ່ງສັນຍານ.
ຂະບວນການຜະລິດ
ຂະບວນການຜະລິດ dielectric-oriented ຕ່ໍາ: ຄວາມບໍລິສຸດສູງຕ່ໍາ dielectric ຊິລິໂຄນເປັນວັດຖຸດິບ→ການເພີ່ມປະສິດທິພາບສູດ (ຕື່ມການຕື່ມ dielectric ຕ່ໍາເຊັ່ນ BN ຜົງ) →ການປະສົມຄວາມແມ່ນຍໍາ → ການທົດສອບຄົງທີ່ dielectric → ການທົດສອບການຫຼຸດຜ່ອນສັນຍານ → ການປິ່ນປົວມາດຕະຖານ → ການກວດກາຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງ dielectric →ການຫຸ້ມຫໍ່. ການທົດສອບ dielectric ຢ່າງເຂັ້ມງວດເຮັດໃຫ້ແນ່ໃຈວ່າຜະລິດຕະພັນຫຼຸດຜ່ອນສັນຍານຕ່ໍາແລະຄວາມສົມບູນຂອງສັນຍານສູງ.
FAQ
Q1: ຄົງທີ່ dielectric ແມ່ນຫຍັງ? A: ≤3.0 @1MHz, dielectric ຕ່ໍາ, attenuation ສັນຍານຕ່ໍາ.
Q2: ມັນເຫມາະສົມກັບສະຖານະການ 5G ບໍ? A: ແມ່ນແລ້ວ, ການຫຼຸດສັນຍານຕ່ໍາ, ຄວາມສົມບູນຂອງສັນຍານສູງ, ເຫມາະສໍາລັບສະຖານີຖານ 5G ແລະອຸປະກອນຢູ່ປາຍຍອດ.
Q3: ມັນຈະແຊກແຊງການສົ່ງສັນຍານບໍ? A: ບໍ່, ຄົງທີ່ dielectric ຕ່ໍາ, ບໍ່ມີສັນຍານປ້ອງກັນ, ບໍ່ມີການລົບກວນສັນຍານ, ຮັບປະກັນການສົ່ງທີ່ຫມັ້ນຄົງ.
Q4: ມັນສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ສໍາລັບເອເລັກໂຕຣນິກຄວາມຖີ່ສູງບໍ? A: ແມ່ນ, ເຫມາະສົມສໍາລັບອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກຄວາມຖີ່ສູງ, ປະສິດທິຜົນຫຼຸດຜ່ອນການຫຼຸດຜ່ອນສັນຍານ.
Shenzhen Hong Ye Jie Technology Co., Ltd
ຕິດຕໍ່ຕອນນີ້